雪王卖辣条，茶颜卖面包丁，奶茶店开始卖零食自救？
发布日期：2024-11-23 08:24
张冬方
■前几天，欧盟成员国在《欧盟芯片法》草案的一份修改版上达成了一致，欧盟距离半导体工业战略自主的长路上又挪出了一小步。自今年2月欧盟委员会公布《欧盟芯片法》草案提议以来，欧盟在半导体工业的赛道上已经有了一些布局。
该草案的核心内容就是吸引半导体制造商来欧盟境内建立制造工厂。今年3月，英特尔宣布将在德国萨克森-安哈尔特州的马格德堡初步投资170亿欧元，用于建立两家半导体制造工厂，工厂将于明年上半年开工，2027年投产，将采用英特尔最先进的Angstrom-era晶体管技术生产用于计算机设备、服务器和智能手机的芯片。据GTAI，这是德国乃至欧洲迄今为止最大的一起外商直接投资。英特尔称未来会在欧盟境内从研发、制造到封装整条价值链上投资800亿欧元。
欧盟委员会主席冯德莱恩将英特尔此举是《欧盟芯片法》倡议的第一个大成就。根据《欧盟芯片法》草案，欧盟将动用超过430亿欧元的补贴，从而从芯片制造的落后中追赶上来，实现半导体供应安全。6月初，德国联邦政府透露，至2024年为英特尔在建厂提供68亿欧元的财政支持。
7月中，意法半导体（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）联合宣布在法国投资57亿欧元进行建厂，工厂将生产不同大小的芯片，最小制程为用于汽车、工厂和家电的18nm芯片，该厂在2026年实现满负荷生产。联合声明还表明，该计划将会得到法国政府的财政支持。
意法半导体也计划投资7.3亿欧元，在意大利卡塔尼亚建造碳化硅衬底制造工厂。碳化硅（SiC）用于生产应用在电动汽车、快充电桩、新能源和其他工业应用中的微芯片。按计划，工厂将于2026年竣工。10月，欧盟委员批准了对意法半导体的该项计划进行2.952亿欧元的欧盟国家援助。
在《欧盟芯片法》草案展开的蓝图中，欧盟将芯片产能目标设定为，从目前占全球产能比重的不足10%向2030年的20%进发。草案中的三大支柱可以概括为：投资研发和创新、允许成员国政府补贴有着先进技术的制造商在欧盟落户、应对供应危机。其中第二支柱是重中之重，430亿欧元的补贴就重点落在了第二个支柱之上。欧盟认为缺乏先进芯片制造是其半导体工业的主要薄弱环节。
草案强调了欧盟在半导体产能和小于20nm制程制造专业技术的不足，欧洲虽然独占了7nm以下的制造设备，却没有22nm以下制程制造工厂，而未来趋势将会是5nm以下芯片。草案倡导支持建立比如在10nm及以下全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术、2nm以下先进制程、3D异构先进封装方面新的试验生产线。
欧盟将战略重心放在了芯片制造上，且重点瞄准的就是台积电、三星和英特尔三家拥有最先进制程工艺的半导体企业。欧盟想打造一个能和美国竞争的半导体生态圈，以吸引三巨头来欧建立制造工厂。德国萨克森工业硅谷协会预测，仅仅在德国萨克森州，至2030年，在微电子和通信领域的从业人员将会达到10万人左右，比今天多出2.7万人。据Politico，荷兰半导体制造设备供应商阿斯麦（ASML）的CEO温彼得（Peter Wennink）曾表达了乐观态度，认为一旦制造商在那，就会吸引供应商、客户和人才，第一家工厂将会带来第二家。目前，台积电和三星还没有公开承诺来欧洲建厂，却已经将目光投往了日本、美国和中国大陆。行内人士认为，英特尔并不拥有欧盟所需要的技术，欧盟需要台积电和三星。据IC Insights，在10nm制程以下芯片制造上，台湾和韩国分别以62.8%和37.2%的比重统领了天下。而在今年的台湾局势中，欧盟更加意识到减少对台湾供应依赖的紧迫性。
对于欧盟发力芯片制造，且具体指向先进芯片制造，行业内有不少质疑。德国半导体企业英飞凌（Infineon）首席营销官在Bloomberg去年的一次采访中表示，欧洲应当把重心放在现有的现代技术上，今天乃至未来的五年，一辆车的绝大部分零部件都不会从20nm以下芯片中得到任何好处。
来自智库新责任基金会（SNV）的克莱汉斯（Jan-Peter Kleinhans）也认为，英特尔在欧洲建厂不会让欧洲更独立更有竞争力，也不能保证芯片供应安全。他在一篇分析报告里写道，欧盟确实在晶圆产能上没有太多存在感。欧洲半导体企业大多为IDM，且大多采取的是fab-lite模式，将制造外包给欧洲以外的工厂。而且，欧洲完全缺席先进制程芯片制造，这里超过50%的晶圆产能都属于180nm或以上，用于生产功率半导体和传感器等，比如X-FAB和UMS。很多IDM专注于40nm-180nm成熟制程，比如德国的博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）、X-FAB，荷兰的恩智浦（NXP）等，只有极少数在使用现代工艺，比如意法半导体（28nm FD-SOI）和格芯（22nm FD-SOI）。
克莱汉斯指出，欧洲IDM没有追随摩尔定律是有原因的，芯片制程大小其实和许多半导体产品并不相关，比如模拟电路和传感器。模拟和混合信号半导体的创新在于利用新材料而不是缩小制程。包括博世、英飞凌和意法半导体的欧洲企业越来越多地加大对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）化合物半导体材料的投入，这些材料尤其在功率半导体和射频芯片上比传统的硅更有优势。也就是说，欧洲IDM并没有试图进入先进制程跑道，而是将主要精力放在了传感器、功率半导体和射频芯片等上，这也是基于欧洲本土的汽车和工业应用需求，长期以来，博世、恩智浦等和欧洲本土车企建立了强大的垂直整合体系。
在克莱汉斯看来，欧盟政策层面只看到了欧盟在先进芯片制造上的差距，却忽略了另外一个更关键的薄弱环节，即芯片设计。与制造一样，欧洲同样缺乏先进制程芯片设计，只有少数企业设计5nm和7nm制程芯片，比如恩智浦、格芯、SiPearl等。克莱汉斯认为，与其在先进芯片制造上大力投入，不如投入尖端芯片设计，从上游产业做起。
同样认为欧盟打错了靶子的还有来自智库Bruegel的加西亚-埃雷罗（Alicia García-Herrero）。她在一篇博文中写道，应该大力投入研发，增加欧盟在芯片设计上的分量，而不是把大量公共资金浪费在其他地区已经出现生产过剩的芯片生产上。她站在战略高度指出，没有必要非得生产高端芯片，只要控制部分价值链即可。
不容忽视的是，欧盟在先进制程芯片制造设备上拥有绝对的垄断地位，半导体制造设备供应商阿斯麦处于产业链的最上游，它一家独占了EUV设备的全部市场份额。
其实，欧盟已经认识到，没有任何一个国家或地区可以覆盖和掌控半导体产业链和供应链的全部，所以在战略重心上，必须有所选择，不过，有选择就有可能顾此失彼，避重就轻。《欧盟芯片法》的最初版到将来的最终版将会持续体现出这种取舍和轻重。■
该草案的核心内容就是吸引半导体制造商来欧盟境内建立制造工厂。今年3月，英特尔宣布将在德国萨克森-安哈尔特州的马格德堡初步投资170亿欧元，用于建立两家半导体制造工厂，工厂将于明年上半年开工，2027年投产，将采用英特尔最先进的Angstrom-era晶体管技术生产用于计算机设备、服务器和智能手机的芯片。据GTAI，这是德国乃至欧洲迄今为止最大的一起外商直接投资。英特尔称未来会在欧盟境内从研发、制造到封装整条价值链上投资800亿欧元。
欧盟委员会主席冯德莱恩将英特尔此举是《欧盟芯片法》倡议的第一个大成就。根据《欧盟芯片法》草案，欧盟将动用超过430亿欧元的补贴，从而从芯片制造的落后中追赶上来，实现半导体供应安全。6月初，德国联邦政府透露，至2024年为英特尔在建厂提供68亿欧元的财政支持。
7月中，意法半导体（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）联合宣布在法国投资57亿欧元进行建厂，工厂将生产不同大小的芯片，最小制程为用于汽车、工厂和家电的18nm芯片，该厂在2026年实现满负荷生产。联合声明还表明，该计划将会得到法国政府的财政支持。
意法半导体也计划投资7.3亿欧元，在意大利卡塔尼亚建造碳化硅衬底制造工厂。碳化硅（SiC）用于生产应用在电动汽车、快充电桩、新能源和其他工业应用中的微芯片。按计划，工厂将于2026年竣工。10月，欧盟委员批准了对意法半导体的该项计划进行2.952亿欧元的欧盟国家援助。
在《欧盟芯片法》草案展开的蓝图中，欧盟将芯片产能目标设定为，从目前占全球产能比重的不足10%向2030年的20%进发。草案中的三大支柱可以概括为：投资研发和创新、允许成员国政府补贴有着先进技术的制造商在欧盟落户、应对供应危机。其中第二支柱是重中之重，430亿欧元的补贴就重点落在了第二个支柱之上。欧盟认为缺乏先进芯片制造是其半导体工业的主要薄弱环节。
草案强调了欧盟在半导体产能和小于20nm制程制造专业技术的不足，欧洲虽然独占了7nm以下的制造设备，却没有22nm以下制程制造工厂，而未来趋势将会是5nm以下芯片。草案倡导支持建立比如在10nm及以下全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术、2nm以下先进制程、3D异构先进封装方面新的试验生产线。
欧盟将战略重心放在了芯片制造上，且重点瞄准的就是台积电、三星和英特尔三家拥有最先进制程工艺的半导体企业。欧盟想打造一个能和美国竞争的半导体生态圈，以吸引三巨头来欧建立制造工厂。德国萨克森工业硅谷协会预测，仅仅在德国萨克森州，至2030年，在微电子和通信领域的从业人员将会达到10万人左右，比今天多出2.7万人。据Politico，荷兰半导体制造设备供应商阿斯麦（ASML）的CEO温彼得（Peter Wennink）曾表达了乐观态度，认为一旦制造商在那，就会吸引供应商、客户和人才，第一家工厂将会带来第二家。目前，台积电和三星还没有公开承诺来欧洲建厂，却已经将目光投往了日本、美国和中国大陆。行内人士认为，英特尔并不拥有欧盟所需要的技术，欧盟需要台积电和三星。据IC Insights，在10nm制程以下芯片制造上，台湾和韩国分别以62.8%和37.2%的比重统领了天下。而在今年的台湾局势中，欧盟更加意识到减少对台湾供应依赖的紧迫性。
对于欧盟发力芯片制造，且具体指向先进芯片制造，行业内有不少质疑。德国半导体企业英飞凌（Infineon）首席营销官在Bloomberg去年的一次采访中表示，欧洲应当把重心放在现有的现代技术上，今天乃至未来的五年，一辆车的绝大部分零部件都不会从20nm以下芯片中得到任何好处。
来自智库新责任基金会（SNV）的克莱汉斯（Jan-Peter Kleinhans）也认为，英特尔在欧洲建厂不会让欧洲更独立更有竞争力，也不能保证芯片供应安全。他在一篇分析报告里写道，欧盟确实在晶圆产能上没有太多存在感。欧洲半导体企业大多为IDM，且大多采取的是fab-lite模式，将制造外包给欧洲以外的工厂。而且，欧洲完全缺席先进制程芯片制造，这里超过50%的晶圆产能都属于180nm或以上，用于生产功率半导体和传感器等，比如X-FAB和UMS。很多IDM专注于40nm-180nm成熟制程，比如德国的博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）、X-FAB，荷兰的恩智浦（NXP）等，只有极少数在使用现代工艺，比如意法半导体（28nm FD-SOI）和格芯（22nm FD-SOI）。
克莱汉斯指出，欧洲IDM没有追随摩尔定律是有原因的，芯片制程大小其实和许多半导体产品并不相关，比如模拟电路和传感器。模拟和混合信号半导体的创新在于利用新材料而不是缩小制程。包括博世、英飞凌和意法半导体的欧洲企业越来越多地加大对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）化合物半导体材料的投入，这些材料尤其在功率半导体和射频芯片上比传统的硅更有优势。也就是说，欧洲IDM并没有试图进入先进制程跑道，而是将主要精力放在了传感器、功率半导体和射频芯片等上，这也是基于欧洲本土的汽车和工业应用需求，长期以来，博世、恩智浦等和欧洲本土车企建立了强大的垂直整合体系。
在克莱汉斯看来，欧盟政策层面只看到了欧盟在先进芯片制造上的差距，却忽略了另外一个更关键的薄弱环节，即芯片设计。与制造一样，欧洲同样缺乏先进制程芯片设计，只有少数企业设计5nm和7nm制程芯片，比如恩智浦、格芯、SiPearl等。克莱汉斯认为，与其在先进芯片制造上大力投入，不如投入尖端芯片设计，从上游产业做起。
同样认为欧盟打错了靶子的还有来自智库Bruegel的加西亚-埃雷罗（Alicia García-Herrero）。她在一篇博文中写道，应该大力投入研发，增加欧盟在芯片设计上的分量，而不是把大量公共资金浪费在其他地区已经出现生产过剩的芯片生产上。她站在战略高度指出，没有必要非得生产高端芯片，只要控制部分价值链即可。
不容忽视的是，欧盟在先进制程芯片制造设备上拥有绝对的垄断地位，半导体制造设备供应商阿斯麦处于产业链的最上游，它一家独占了EUV设备的全部市场份额。
其实，欧盟已经认识到，没有任何一个国家或地区可以覆盖和掌控半导体产业链和供应链的全部，所以在战略重心上，必须有所选择，不过，有选择就有可能顾此失彼，避重就轻。《欧盟芯片法》的最初版到将来的最终版将会持续体现出这种取舍和轻重。■
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科技：欧盟发力先进芯片制造，能否助力实现半导体战略自主？
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张冬方：欧盟已经认识到，没有任何一个国家或地区可以覆盖和掌控半导体产业链和供应链的全部，所以在战略重心上，必须有所选择。
张冬方
■前几天，欧盟成员国在《欧盟芯片法》草案的一份修改版上达成了一致，欧盟距离半导体工业战略自主的长路上又挪出了一小步。自今年2月欧盟委员会公布《欧盟芯片法》草案提议以来，欧盟在半导体工业的赛道上已经有了一些布局。
该草案的核心内容就是吸引半导体制造商来欧盟境内建立制造工厂。今年3月，英特尔宣布将在德国萨克森-安哈尔特州的马格德堡初步投资170亿欧元，用于建立两家半导体制造工厂，工厂将于明年上半年开工，2027年投产，将采用英特尔最先进的Angstrom-era晶体管技术生产用于计算机设备、服务器和智能手机的芯片。据GTAI，这是德国乃至欧洲迄今为止最大的一起外商直接投资。英特尔称未来会在欧盟境内从研发、制造到封装整条价值链上投资800亿欧元。
欧盟委员会主席冯德莱恩将英特尔此举是《欧盟芯片法》倡议的第一个大成就。根据《欧盟芯片法》草案，欧盟将动用超过430亿欧元的补贴，从而从芯片制造的落后中追赶上来，实现半导体供应安全。6月初，德国联邦政府透露，至2024年为英特尔在建厂提供68亿欧元的财政支持。
7月中，意法半导体（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）联合宣布在法国投资57亿欧元进行建厂，工厂将生产不同大小的芯片，最小制程为用于汽车、工厂和家电的18nm芯片，该厂在2026年实现满负荷生产。联合声明还表明，该计划将会得到法国政府的财政支持。
意法半导体也计划投资7.3亿欧元，在意大利卡塔尼亚建造碳化硅衬底制造工厂。碳化硅（SiC）用于生产应用在电动汽车、快充电桩、新能源和其他工业应用中的微芯片。按计划，工厂将于2026年竣工。10月，欧盟委员批准了对意法半导体的该项计划进行2.952亿欧元的欧盟国家援助。
在《欧盟芯片法》草案展开的蓝图中，欧盟将芯片产能目标设定为，从目前占全球产能比重的不足10%向2030年的20%进发。草案中的三大支柱可以概括为：投资研发和创新、允许成员国政府补贴有着先进技术的制造商在欧盟落户、应对供应危机。其中第二支柱是重中之重，430亿欧元的补贴就重点落在了第二个支柱之上。欧盟认为缺乏先进芯片制造是其半导体工业的主要薄弱环节。
草案强调了欧盟在半导体产能和小于20nm制程制造专业技术的不足，欧洲虽然独占了7nm以下的制造设备，却没有22nm以下制程制造工厂，而未来趋势将会是5nm以下芯片。草案倡导支持建立比如在10nm及以下全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术、2nm以下先进制程、3D异构先进封装方面新的试验生产线。
欧盟将战略重心放在了芯片制造上，且重点瞄准的就是台积电、三星和英特尔三家拥有最先进制程工艺的半导体企业。欧盟想打造一个能和美国竞争的半导体生态圈，以吸引三巨头来欧建立制造工厂。德国萨克森工业硅谷协会预测，仅仅在德国萨克森州，至2030年，在微电子和通信领域的从业人员将会达到10万人左右，比今天多出2.7万人。据Politico，荷兰半导体制造设备供应商阿斯麦（ASML）的CEO温彼得（Peter Wennink）曾表达了乐观态度，认为一旦制造商在那，就会吸引供应商、客户和人才，第一家工厂将会带来第二家。目前，台积电和三星还没有公开承诺来欧洲建厂，却已经将目光投往了日本、美国和中国大陆。行内人士认为，英特尔并不拥有欧盟所需要的技术，欧盟需要台积电和三星。据IC Insights，在10nm制程以下芯片制造上，台湾和韩国分别以62.8%和37.2%的比重统领了天下。而在今年的台湾局势中，欧盟更加意识到减少对台湾供应依赖的紧迫性。
对于欧盟发力芯片制造，且具体指向先进芯片制造，行业内有不少质疑。德国半导体企业英飞凌（Infineon）首席营销官在Bloomberg去年的一次采访中表示，欧洲应当把重心放在现有的现代技术上，今天乃至未来的五年，一辆车的绝大部分零部件都不会从20nm以下芯片中得到任何好处。
来自智库新责任基金会（SNV）的克莱汉斯（Jan-Peter Kleinhans）也认为，英特尔在欧洲建厂不会让欧洲更独立更有竞争力，也不能保证芯片供应安全。他在一篇分析报告里写道，欧盟确实在晶圆产能上没有太多存在感。欧洲半导体企业大多为IDM，且大多采取的是fab-lite模式，将制造外包给欧洲以外的工厂。而且，欧洲完全缺席先进制程芯片制造，这里超过50%的晶圆产能都属于180nm或以上，用于生产功率半导体和传感器等，比如X-FAB和UMS。很多IDM专注于40nm-180nm成熟制程，比如德国的博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）、X-FAB，荷兰的恩智浦（NXP）等，只有极少数在使用现代工艺，比如意法半导体（28nm FD-SOI）和格芯（22nm FD-SOI）。
克莱汉斯指出，欧洲IDM没有追随摩尔定律是有原因的，芯片制程大小其实和许多半导体产品并不相关，比如模拟电路和传感器。模拟和混合信号半导体的创新在于利用新材料而不是缩小制程。包括博世、英飞凌和意法半导体的欧洲企业越来越多地加大对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）化合物半导体材料的投入，这些材料尤其在功率半导体和射频芯片上比传统的硅更有优势。也就是说，欧洲IDM并没有试图进入先进制程跑道，而是将主要精力放在了传感器、功率半导体和射频芯片等上，这也是基于欧洲本土的汽车和工业应用需求，长期以来，博世、恩智浦等和欧洲本土车企建立了强大的垂直整合体系。
在克莱汉斯看来，欧盟政策层面只看到了欧盟在先进芯片制造上的差距，却忽略了另外一个更关键的薄弱环节，即芯片设计。与制造一样，欧洲同样缺乏先进制程芯片设计，只有少数企业设计5nm和7nm制程芯片，比如恩智浦、格芯、SiPearl等。克莱汉斯认为，与其在先进芯片制造上大力投入，不如投入尖端芯片设计，从上游产业做起。
同样认为欧盟打错了靶子的还有来自智库Bruegel的加西亚-埃雷罗（Alicia García-Herrero）。她在一篇博文中写道，应该大力投入研发，增加欧盟在芯片设计上的分量，而不是把大量公共资金浪费在其他地区已经出现生产过剩的芯片生产上。她站在战略高度指出，没有必要非得生产高端芯片，只要控制部分价值链即可。
不容忽视的是，欧盟在先进制程芯片制造设备上拥有绝对的垄断地位，半导体制造设备供应商阿斯麦处于产业链的最上游，它一家独占了EUV设备的全部市场份额。
其实，欧盟已经认识到，没有任何一个国家或地区可以覆盖和掌控半导体产业链和供应链的全部，所以在战略重心上，必须有所选择，不过，有选择就有可能顾此失彼，避重就轻。《欧盟芯片法》的最初版到将来的最终版将会持续体现出这种取舍和轻重。■
该草案的核心内容就是吸引半导体制造商来欧盟境内建立制造工厂。今年3月，英特尔宣布将在德国萨克森-安哈尔特州的马格德堡初步投资170亿欧元，用于建立两家半导体制造工厂，工厂将于明年上半年开工，2027年投产，将采用英特尔最先进的Angstrom-era晶体管技术生产用于计算机设备、服务器和智能手机的芯片。据GTAI，这是德国乃至欧洲迄今为止最大的一起外商直接投资。英特尔称未来会在欧盟境内从研发、制造到封装整条价值链上投资800亿欧元。
欧盟委员会主席冯德莱恩将英特尔此举是《欧盟芯片法》倡议的第一个大成就。根据《欧盟芯片法》草案，欧盟将动用超过430亿欧元的补贴，从而从芯片制造的落后中追赶上来，实现半导体供应安全。6月初，德国联邦政府透露，至2024年为英特尔在建厂提供68亿欧元的财政支持。
7月中，意法半导体（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）联合宣布在法国投资57亿欧元进行建厂，工厂将生产不同大小的芯片，最小制程为用于汽车、工厂和家电的18nm芯片，该厂在2026年实现满负荷生产。联合声明还表明，该计划将会得到法国政府的财政支持。
意法半导体也计划投资7.3亿欧元，在意大利卡塔尼亚建造碳化硅衬底制造工厂。碳化硅（SiC）用于生产应用在电动汽车、快充电桩、新能源和其他工业应用中的微芯片。按计划，工厂将于2026年竣工。10月，欧盟委员批准了对意法半导体的该项计划进行2.952亿欧元的欧盟国家援助。
在《欧盟芯片法》草案展开的蓝图中，欧盟将芯片产能目标设定为，从目前占全球产能比重的不足10%向2030年的20%进发。草案中的三大支柱可以概括为：投资研发和创新、允许成员国政府补贴有着先进技术的制造商在欧盟落户、应对供应危机。其中第二支柱是重中之重，430亿欧元的补贴就重点落在了第二个支柱之上。欧盟认为缺乏先进芯片制造是其半导体工业的主要薄弱环节。
草案强调了欧盟在半导体产能和小于20nm制程制造专业技术的不足，欧洲虽然独占了7nm以下的制造设备，却没有22nm以下制程制造工厂，而未来趋势将会是5nm以下芯片。草案倡导支持建立比如在10nm及以下全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术、2nm以下先进制程、3D异构先进封装方面新的试验生产线。
欧盟将战略重心放在了芯片制造上，且重点瞄准的就是台积电、三星和英特尔三家拥有最先进制程工艺的半导体企业。欧盟想打造一个能和美国竞争的半导体生态圈，以吸引三巨头来欧建立制造工厂。德国萨克森工业硅谷协会预测，仅仅在德国萨克森州，至2030年，在微电子和通信领域的从业人员将会达到10万人左右，比今天多出2.7万人。据Politico，荷兰半导体制造设备供应商阿斯麦（ASML）的CEO温彼得（Peter Wennink）曾表达了乐观态度，认为一旦制造商在那，就会吸引供应商、客户和人才，第一家工厂将会带来第二家。目前，台积电和三星还没有公开承诺来欧洲建厂，却已经将目光投往了日本、美国和中国大陆。行内人士认为，英特尔并不拥有欧盟所需要的技术，欧盟需要台积电和三星。据IC Insights，在10nm制程以下芯片制造上，台湾和韩国分别以62.8%和37.2%的比重统领了天下。而在今年的台湾局势中，欧盟更加意识到减少对台湾供应依赖的紧迫性。
对于欧盟发力芯片制造，且具体指向先进芯片制造，行业内有不少质疑。德国半导体企业英飞凌（Infineon）首席营销官在Bloomberg去年的一次采访中表示，欧洲应当把重心放在现有的现代技术上，今天乃至未来的五年，一辆车的绝大部分零部件都不会从20nm以下芯片中得到任何好处。
来自智库新责任基金会（SNV）的克莱汉斯（Jan-Peter Kleinhans）也认为，英特尔在欧洲建厂不会让欧洲更独立更有竞争力，也不能保证芯片供应安全。他在一篇分析报告里写道，欧盟确实在晶圆产能上没有太多存在感。欧洲半导体企业大多为IDM，且大多采取的是fab-lite模式，将制造外包给欧洲以外的工厂。而且，欧洲完全缺席先进制程芯片制造，这里超过50%的晶圆产能都属于180nm或以上，用于生产功率半导体和传感器等，比如X-FAB和UMS。很多IDM专注于40nm-180nm成熟制程，比如德国的博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）、X-FAB，荷兰的恩智浦（NXP）等，只有极少数在使用现代工艺，比如意法半导体（28nm FD-SOI）和格芯（22nm FD-SOI）。
克莱汉斯指出，欧洲IDM没有追随摩尔定律是有原因的，芯片制程大小其实和许多半导体产品并不相关，比如模拟电路和传感器。模拟和混合信号半导体的创新在于利用新材料而不是缩小制程。包括博世、英飞凌和意法半导体的欧洲企业越来越多地加大对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）化合物半导体材料的投入，这些材料尤其在功率半导体和射频芯片上比传统的硅更有优势。也就是说，欧洲IDM并没有试图进入先进制程跑道，而是将主要精力放在了传感器、功率半导体和射频芯片等上，这也是基于欧洲本土的汽车和工业应用需求，长期以来，博世、恩智浦等和欧洲本土车企建立了强大的垂直整合体系。
在克莱汉斯看来，欧盟政策层面只看到了欧盟在先进芯片制造上的差距，却忽略了另外一个更关键的薄弱环节，即芯片设计。与制造一样，欧洲同样缺乏先进制程芯片设计，只有少数企业设计5nm和7nm制程芯片，比如恩智浦、格芯、SiPearl等。克莱汉斯认为，与其在先进芯片制造上大力投入，不如投入尖端芯片设计，从上游产业做起。
同样认为欧盟打错了靶子的还有来自智库Bruegel的加西亚-埃雷罗（Alicia García-Herrero）。她在一篇博文中写道，应该大力投入研发，增加欧盟在芯片设计上的分量，而不是把大量公共资金浪费在其他地区已经出现生产过剩的芯片生产上。她站在战略高度指出，没有必要非得生产高端芯片，只要控制部分价值链即可。
不容忽视的是，欧盟在先进制程芯片制造设备上拥有绝对的垄断地位，半导体制造设备供应商阿斯麦处于产业链的最上游，它一家独占了EUV设备的全部市场份额。
其实，欧盟已经认识到，没有任何一个国家或地区可以覆盖和掌控半导体产业链和供应链的全部，所以在战略重心上，必须有所选择，不过，有选择就有可能顾此失彼，避重就轻。《欧盟芯片法》的最初版到将来的最终版将会持续体现出这种取舍和轻重。■
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回望，回望，一马平川红酒飘散断归途。
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